Американские исследователи разработали оригинальную технологию создания структур из наноразмерных полупроводниковых или металлических нитей.

Рис. 1. Схема процесса формирования структуры.

Новые технологические возможности в наноэлектронике предложили ученые из Caltech и University of California. Они умеют создавать структуры из металлических или полупроводниковых нитей диаметром 8 нм и расстоянием между ними 16 нм, при этом длина нити может превышать ее диаметр в миллион раз. Главный секрет состоит в изготовлении соответствующей "маски" для создания нити. Схема формирования структуры показана на Рис.1. С помощью молекулярно-лучевой эпитаксии выращивают сверхрешетку (последовательность чередующихся слоев различных материалов нанометровой толщины) на основе чередующихся слоев GaAs и AlGaAs. Затем эту структуру скалывают и на сколе проводят селективное травление, можно даже на очень большую глубину. Образующиеся канавки заполняются каким-либо материалом, например, металлом. Далее сверхрешетка приводится в контакт с адгезионным слое на кремнии и производится "освобождение" нанопроволочек.

Рис. 2. Микрофотография в электронном микроскопе, схемы из нескольких сотен пересечений платиновых нанопроволочек.

Проводимость сформированных таким путем полупроводниковых и металлических нитей оказывается низкой из-за аморфного состояния запыленного вещества. Это, естественно, пока закрывает многие возможности их практического использования в наноэлектронике. Однако, одно несомненное и очень важное применение заметно "невооруженным" глазом - это сенсоры. К настоящему моменту уже исследованы резонаторы, состоящие из сотен пересечений платиновых нанопроволочек, с максимальной резонансной частотой до 2.5 ГГц.

Источник информации - заметка В.Вьюркова в бюллетене ПерсТ, выпуск 8 за 2003 г.