Фирма Motorola анонсировала создание первой в мире магнитнорезистивной памяти с произвольной выборкой емкостью 4 Мб.

Motorola анонсировала создание первой в мире магнитнорезистивной памяти с произвольной выборкой (MRAM - Magnetic Random Access Memory) емкостью 4 Мб. 4 Мб MRAM изготовлена по 0.18 мкм технологии. Ячейка MRAM содержит 1 транзистор (технология КМОП), 1 магнитный туннельный переход и медные межсоединения. В настояшее время образцы уже проходят тестирование.

Магиторезистивная память от Motorola

MRAM - изделие спинтроники, быстроразвивающейся области наноэлектроники, использующей в качестве носителя информации спин электрона. MRAM сочетает сохранение данных при отключенном питании (аналогично магнитным дискам) с беспрецедентно длительным сроком службы и высоким быстродействием (аналогично полупроводниковой памяти) и потенциально способна заменить многочисленные существующие технологии оперативных запоминающих устройств с произвольной выборкой. Надежность и длительный срок службы делают MRAM подходящей для применения в жестких или требующих длительного жизненного цикла условиях, например, в автомобильной промышленности (в частности, в будущих «интеллектуальных автомобилях», которые потребуют неразрушаемую память с высоким быстродействием при большом числе циклов считывание-запись). Осознавая высокий потенциал, военно-промышленная фирма Honeywell уже приобрела у фирмы Motorola лицензию на MRAM технологию для военных и аэрокосмических применений. В перспективе MRAM может взять на себя значительную часть рынка полупроводниковой памяти, который в настоящее время оценивается в 48 млрд. долл., заменив сегодняшние полупроводниковые Flash, DRAM (динамические RAM) и наиболее быстродействующие SRAM (статические RAM). Потребительский рынок MRAM включает персональные компьютеры и мобильные телефоны, снижая вероятность утери данных, уменьшая времена загрузки и увеличивая срок службы батареек. Motorola анонсировала меморандум о создании альянса между Motorola, Philips и STMicroelectronics, призванный ускорить процесс разработок MRAM следующего поколения. Другая американская фирма - NVE Corp. - заключила контракт с Defense Threat Reduction Agency (DTRA - Управление по снижению военной угрозы) на разработку новой магнитно-термической MRAM. Объем финансирования на два года - $500,000. Цель контракта - показать возможность конструирования 1 Гб MRAM чипа. NVE уже имеет $750,000 контракт с DARPA (Агентство перспективных исследований в интересах обороны) на реализацию этих же целей, но используя несколько другой подход. В магнито-термической MRAM используется комбинация магнитных полей и сверхбыстрого нагрева импульсами электрического тока, что приводит к увеличению плотности записи данных при пониженной энергии, требуемой для записи. Такая комбинация позволит магнито-термической памяти стать конкурентом DRAM, полупроводниковой памяти с максимальным на сегодня объемом хранящихся данных. NVE имеет ряд основополагающих патентов на магнито-термическую MRAM (включая U.S. Patent № 6 535 416 на само устройство и № 20 030 007 398 на области ее применения). DTRA представляет интересы США в вопросах снижения угрозы от оружия массового уничтожения (химического, биологического, радиологического, ядерного) путем обеспечения служб контроля.

Источник информации - бюллетень ПерсТ, выпуск 9 за 2004 г.